[本刊2001年12月11日综合报道]英特尔公司宣布，该公司的研究人员已经开发出了新型晶体管结构。这种新结构被称为TeraHertz晶体管。由于该晶体管每秒能够通断1万亿次以上，而如果由一个人开关灯1万亿次则需要15000年。这一新结构在提高晶体管响应速度和降低耗电量及发热量方面，堪称是"一项革命性的成果"。这项技术的开发成功将再次打破阻碍"摩尔法则"继续存在的瓶颈。

　　这种新结构由二个关键部分组成：耗尽型衬底晶体管(depleted substrate transistor)和高K门电介质(high k gate dielectric)。

　　耗尽型衬底晶体管为新型CMOS元件，其中，晶体管构建在嵌入绝缘层上面的超薄硅层中。超薄硅层不同于传统的绝缘体上外延硅元件，它是完全耗尽型的，当晶体管处于接通状态，它能够产生最大驱动电流，从而使晶体管能够更快地通断。反之，当晶体管断开时，不需要的漏电被薄薄的绝缘层降低到最低限度。这使耗尽型衬底晶体管的漏电量比传统的绝缘器上外延硅元件降低了100倍。英特尔耗尽型衬底晶体管的另一个创新之处是在硅片层上采用了低电阻触点。这样，晶体管可以体积更小、速度更快、而耗电量更低。

　　高K门电介质为栅极介电体的新材料，将取代目前使用的二氧化硅(Si02)。与使用二氧化硅相比，栅极漏电电流可降低到万分之一以下。高k门电介质采用称为"原子层沉积"( atomic layer deposition )的革命性技术制成，它能够在只有一个分子厚度的层上制作新材料，最终能够提高性能，降低热量，极大延长笔记本计算机的电池使用寿命。

　　英特尔公司称，如果将这种技术与该公司此前开发的高速小型晶体管技术配合使用，就可以使用于实时语音识别、脸型识别、无键盘运算以及比现在性能更高、电池驱动时间更长的小型电子产品等新领域。英特尔公司计划在2005年将上述技术运用于实际产品中去。